Die App ist ein komplettes kostenloses Handbuch von Mos ICs And Technology, das wichtige Themen, Notizen und Materialien zum Kurs abdeckt.
Die App ist für schnelles Lernen, Überarbeiten, Referenzen bei Prüfungen und Vorstellungsgesprächen konzipiert.
Diese App deckt die meisten verwandten Themen ab und enthält detaillierte Erklärungen zu allen grundlegenden Themen.
Es deckt 114 Themen von MOS ICs & Technologie im Detail ab. Diese 114 Themen sind in 8 Einheiten unterteilt
Einige der in dieser Anwendung behandelten Themen sind:
1. Moores Gesetz.
2. Vergleich verfügbarer Technologien
3. Grundlegende MOS-Transistoren
4. Verbesserungsmodus Transistoraktion:
5. NMOS-Herstellung:
6. CMOS-Herstellung – P-WELL-PROZESS
7. CMOS-Fertigungs-N-WELL-PROZESS:
8. CMOS-Herstellung – Doppelwannenprozess
9. Bi-CMOS-Technologie: - (Bipolar CMOS):
10. Herstellung von E-Beam-Masken
11. Einführung in den MOS-Transistor
12. Beziehung zwischen Vgs und Ids, für einen festen Vds
13. MOS-Gleichungen (DC-Grundgleichungen):
14. Effekte zweiter Ordnung
15. EIGENSCHAFTEN DES CMOS-INVETERS
16. DC-Eigenschaften des Wechselrichters
17. Grafische Ableitung der DC-Kennlinien des Wechselrichters
18. Rauschabstand
19. MOS-Inverter mit statischer Last
20. Transmissionstore
21. Tristate-Wechselrichter
22. Stickdiagramme-Encodings für NMOS-Prozess
23. Kodierungen für CMOS-Prozess
24. Kodierung für BJT und MOSFETs
25. NMOS- und CMOS-Designstil
26. Designregeln – MOS-ICs und -Technologie
27. Über
28. CMOS-Lambda-basierte Entwurfsregeln
29. Orbit 2um CMOS-Prozess
30. Widerstandsschätzung.
31. Flächenwiderstand von MOS-Transistoren
32. Kapazitätsschätzung
33. Verzögerung
34. Verzögerungen des Wechselrichters
35. Formale Schätzung der Verzögerung
36. Antreiben einer großen kapazitiven Last
37. Optimaler Wert von f
38. Superpuffer
39. Bicmos-Treiber
40. Ausbreitungsverzögerung
41. Andere Kapazitätsquellen
42. Wahl der Schichten
43. Skalierung von Mos-Geräten
44. Grundlegender physikalischer Aufbau ein Überblick
45. Grundlegender physikalischer Aufbau ein Überblick
46. Schaltplan und Layout der grundlegenden Gates-Inverter Gate
47. Schema und Layout der grundlegenden Gatter-NAND- und NOR-Gatter
48. Übertragungstor
49. CMOS-Standardzellendesign
50. Layoutoptimierung für Leistung
51. Allgemeine Gestaltungsrichtlinien
52. BICMOS-Logik
53. Pseudo-nmos-Logik
54. Andere Variationen von Pseudo-nmos – Multi-Drain-Logik und Ganged-Logik
55. Andere Variationen von Pseudo-nmos-Dynamische cmos-Logik
56. Andere Variationen von Pseudo-nmos-CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)
57. CMOS-Dominologik
58. Kaskadierte Spannungsschalterlogik
59. Übergeben Sie die Transistorlogik
60. Strukturen von Logikschaltungen in CMOS-Technologie
61. Skalierung von MOS-Schaltungen
62. Technologieskalierung
63. Internationale Technologie-Roadmap für Halbleiter (ITRS)
64. Skalierungsmodelle und Skalierungsfaktoren für Geräteparameter
65. Auswirkungen der Skalierung
66. Verbindungsprobleme
67. Erreichbarer Radius
68. Dynamische und statische Kraft
69. Produktivität und physikalische Grenzen
70. Einschränkungen der Skalierung
71. Substratdotierung
72. Verarmungsbreite
73. Grenzen der Miniaturisierung
74. Grenzen der Verbindungs- und Kontaktwiderstände
75. Grenzen aufgrund von unterschwelligen Strömen
76. Grenzen aufgrund von unterschwelligen Strömen
77. System
78. VLSI-Entwurfsablauf
79. 3 Strukturierter Designansatz
80. Regelmäßigkeit
81. MOSFET als Schalter
82. Parallel- und Reihenschaltung von Schaltern
83. CMOS-INVERTER
84. NAND-Gate-Design
85. NOR-Gatter-Design
86. CMOS-Eigenschaften
87. Komplexe Tore
88. Komplexe Gates AOI
Aufgrund von Zeichenbeschränkungen sind nicht alle Themen aufgelistet.
Jedes Thema ist komplett mit Diagrammen, Gleichungen und anderen Formen der grafischen Darstellung für besseres Lernen und schnelles Verständnis.
Merkmale :
* Kapitelweise vollständige Themen
* Umfangreiches UI-Layout
* Komfortabler Lesemodus
* Wichtige Prüfungsthemen
* Sehr einfache Benutzeroberfläche
* Decken Sie die meisten Themen ab
* Ein Klick bezieht sich auf alle Bücher
Diese App wird zum schnellen Nachschlagen nützlich sein. Die Überarbeitung aller Konzepte kann mit dieser App innerhalb von mehreren Stunden abgeschlossen werden.
Anstatt uns eine niedrigere Bewertung zu geben, mailen Sie uns bitte Ihre Fragen, Probleme und geben Sie uns wertvolle Bewertungen und Vorschläge, damit wir sie für zukünftige Updates berücksichtigen können. Wir lösen diese gerne für Sie.
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Es deckt 114 Themen von MOS ICs & Technologie im Detail ab. Diese 114 Themen sind in 8 Einheiten unterteilt
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3. Grundlegende MOS-Transistoren
4. Verbesserungsmodus Transistoraktion:
5. NMOS-Herstellung:
6. CMOS-Herstellung – P-WELL-PROZESS
7. CMOS-Fertigungs-N-WELL-PROZESS:
8. CMOS-Herstellung – Doppelwannenprozess
9. Bi-CMOS-Technologie: - (Bipolar CMOS):
10. Herstellung von E-Beam-Masken
11. Einführung in den MOS-Transistor
12. Beziehung zwischen Vgs und Ids, für einen festen Vds
13. MOS-Gleichungen (DC-Grundgleichungen):
14. Effekte zweiter Ordnung
15. EIGENSCHAFTEN DES CMOS-INVETERS
16. DC-Eigenschaften des Wechselrichters
17. Grafische Ableitung der DC-Kennlinien des Wechselrichters
18. Rauschabstand
19. MOS-Inverter mit statischer Last
20. Transmissionstore
21. Tristate-Wechselrichter
22. Stickdiagramme-Encodings für NMOS-Prozess
23. Kodierungen für CMOS-Prozess
24. Kodierung für BJT und MOSFETs
25. NMOS- und CMOS-Designstil
26. Designregeln – MOS-ICs und -Technologie
27. Über
28. CMOS-Lambda-basierte Entwurfsregeln
29. Orbit 2um CMOS-Prozess
30. Widerstandsschätzung.
31. Flächenwiderstand von MOS-Transistoren
32. Kapazitätsschätzung
33. Verzögerung
34. Verzögerungen des Wechselrichters
35. Formale Schätzung der Verzögerung
36. Antreiben einer großen kapazitiven Last
37. Optimaler Wert von f
38. Superpuffer
39. Bicmos-Treiber
40. Ausbreitungsverzögerung
41. Andere Kapazitätsquellen
42. Wahl der Schichten
43. Skalierung von Mos-Geräten
44. Grundlegender physikalischer Aufbau ein Überblick
45. Grundlegender physikalischer Aufbau ein Überblick
46. Schaltplan und Layout der grundlegenden Gates-Inverter Gate
47. Schema und Layout der grundlegenden Gatter-NAND- und NOR-Gatter
48. Übertragungstor
49. CMOS-Standardzellendesign
50. Layoutoptimierung für Leistung
51. Allgemeine Gestaltungsrichtlinien
52. BICMOS-Logik
53. Pseudo-nmos-Logik
54. Andere Variationen von Pseudo-nmos – Multi-Drain-Logik und Ganged-Logik
55. Andere Variationen von Pseudo-nmos-Dynamische cmos-Logik
56. Andere Variationen von Pseudo-nmos-CLOCKED CMOS LOGIC (C2MOS)
57. CMOS-Dominologik
58. Kaskadierte Spannungsschalterlogik
59. Übergeben Sie die Transistorlogik
60. Strukturen von Logikschaltungen in CMOS-Technologie
61. Skalierung von MOS-Schaltungen
62. Technologieskalierung
63. Internationale Technologie-Roadmap für Halbleiter (ITRS)
64. Skalierungsmodelle und Skalierungsfaktoren für Geräteparameter
65. Auswirkungen der Skalierung
66. Verbindungsprobleme
67. Erreichbarer Radius
68. Dynamische und statische Kraft
69. Produktivität und physikalische Grenzen
70. Einschränkungen der Skalierung
71. Substratdotierung
72. Verarmungsbreite
73. Grenzen der Miniaturisierung
74. Grenzen der Verbindungs- und Kontaktwiderstände
75. Grenzen aufgrund von unterschwelligen Strömen
76. Grenzen aufgrund von unterschwelligen Strömen
77. System
78. VLSI-Entwurfsablauf
79. 3 Strukturierter Designansatz
80. Regelmäßigkeit
81. MOSFET als Schalter
82. Parallel- und Reihenschaltung von Schaltern
83. CMOS-INVERTER
84. NAND-Gate-Design
85. NOR-Gatter-Design
86. CMOS-Eigenschaften
87. Komplexe Tore
88. Komplexe Gates AOI
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